IGBT란?IGBT (절연 게이트 타입 바이폴라 트랜지스터)

IGBT (절연 게이트 타입 바이폴라 트랜지스터)란?

IGBT는 "Insulated Gate Bipolar Transistor"의 약자로, 절연 게이트 타입 바이폴라 트랜지스터라고도 합니다.
IGBT는 파워 반도체 디바이스의 트랜지스터 분야로 분류됩니다.

파워 반도체 디바이스의 특징

파워 반도체 디바이스 (트랜지스터 분야)에서 IGBT 이외에 대표되는 것으로, MOSFET, 바이폴라 등이 있으며, 주로 반도체 스위치 용도로 사용됩니다.
각각 대응 가능한 스위칭 속도에 따라, 중속에서는 바이폴라, 고주파 영역에서는 MOSFET가 적합합니다.
IGBT는 입력부가 MOSFET 구조, 출력부가 바이폴라 구조인 복합 디바이스로, 전자와 정공의 2종류 캐리어를 사용하는 바이폴라 소자이면서, 낮은 포화 전압 (파워 MOSFET의 저 ON 저항에 해당)과, 비교적 빠른 스위칭 특성을 양립시킨 트랜지스터입니다.
단, 비교적 빠른 스위칭 특성이라고 해도, 파워 MOSFET에 비해서는 열등한 것이 IGBT의 약점입니다.

[파워 디바이스의 기본 구조와 특징]

	MOSFET	BIPOLAR	IGBT
기본 구조
제어	게이트 전압	베이스 전류	게이트 전압
허용 전류	✕	△	○
스위칭	○	✕	△
ON 저항	✕	△	○

MOSFET

반도체 소자의 구조가 Metal (금속) - Oxide (반도체 산화물) - Semiconductor (반도체)의 3층 구조로 이루어진 Field-Effect Transistor (전계 효과 트랜지스터)입니다.

BIPOLAR

바이폴라 (쌍극성) 소자를 사용한 것으로, p 타입과 n 타입 2종류의 반도체를 n-p-n 및 p-n-p로 구성한 전류 동작 타입의 트랜지스터입니다.